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Motivation

 Alain Michaud

© 2012, Club Linux Gatineau

 

La mémoire FLASH

 

  • Évolution de la mémoire EPROM ou l’on utilise une astuce pour ’effacer’ les charges par Effet Tunnel (lumière UV → ET).
  • Temps de stockage de l’information très long.
  • Grand nombre de lectures.
  • Écriture des ’1’ individuels. Écriture des ’0’ (effacage) par bloc.
  • Petit nombre d’écritures avant la destruction d’une cellule !
  • La destruction d’une cellule est attribuée à l’électromigration.
  • Peu d’information disponible concernant l’usure prématurée !
  • Anecdote : Samsung conçoit un nouveau format, plus adéquat pour ce type de mémoire...
  • Besoin pressant de vérifier nous-même la fiabilité !
 

FIABILITÉ DES MÉMOIRES : MISE À L’ÉPREUVE

 
Nous voulons évaluer le nombre d’écritures maximal d’une clé de
mémoire USB :
 
  • Écrire, relire et vérifier constamment la même case de mémoire, qui finira bien par lâcher !
  • Écrire des nombres aléatoires (vraisemblablement différents 
  • Monter, puis démonter le volume, pour contourner toute utilisation éventuelle d’une cache, et s’assurer ainsi que les données ont bel et bien été transférées.
  • Utiliser le language de programmation BASH sous le système d’exploitation LINUX pour maximiser notre plaisir !
 
Programmation système ›

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